此前,華虹集團旗下的純12英寸晶圓代工廠——華力微電子早已傳出將砸約195億元,再蓋新12英寸廠,并預計鎖定先進制程,從28nm制程開始,按照28nm到16/14nm再到10nm三個世代制程技術的規劃,達到月產能約3萬~5萬片。武漢新芯也已與全球最大閃存公司美國飛索半導(Spansion)正式簽約,計劃合資興建12英寸晶圓廠,聯合研發生產3DNAND(三維閃存芯片)。
導讀:中國已經成為半導體市場需求規模全球第一的國家。根據ICInsights的數據,中國的半導體市場需求已占到全球市場需求的30%左右。從目前的產能情況來看,12英寸晶圓產能中國的缺口較大。ICInsights的數據是,臺灣和韓國掌握了全球56%的12英寸晶圓產能,而中國大陸廠商僅掌握全球不到1%的12英寸晶圓產能,位于中國大陸(包括外商獨資)的12英寸晶圓產能則有8%。龐大的市場需求,加上制程技術的局限性,讓中國大陸成為投資半導體制造的新熱門。
中國已經成為半導體市場需求規模全球第一的國家。根據ICInsights的數據,中國的半導體市場需求已占到全球市場需求的30%左右。從目前的產能情況來看,12英寸晶圓產能中國的缺口較大。ICInsights的數據是,臺灣和韓國掌握了全球56%的12英寸晶圓產能,而中國大陸廠商僅掌握全球不到1%的12英寸晶圓產能,位于中國大陸(包括外商獨資)的12英寸晶圓產能則有8%。龐大的市場需求,加上制程技術的局限性,讓中國大陸成為投資半導體制造的新熱門。
2014年底終于見到28nm工藝營收曙光的臺聯電,在臺灣經濟部確定沒有技術外流疑慮等條件下,經過了審查,確定登陸中國大陸,投資合建一個新的12英寸晶圓廠。項目將采用40與55nm制程,預計正式投產后將每月生產12寸晶圓5萬片。
“這是中國第一條合資建設的12英寸生產線,”半導體產業研究專家莫大康表示,“盡管聯電拿出的是55/40納米技術,但是它負責運行,因此技術,訂單等都不擔心。而且聯電總體上技術全面勝過我們,有中國學習的地方,從雙蠃的角度看,也會改變未來兩岸合作的態勢。”
在技術和市場占有率上更為先進的臺積電,目前僅在上海有一座8寸晶圓廠,也同樣正在考慮在大陸投資12英寸晶圓廠,并以28nm制程切入。但由于臺灣政府要求,前往大陸投資的半導體晶圓廠必須依照“N-2”(落后臺灣兩代制程)的規定,臺積電投建12英寸晶圓廠的計劃預計最快于2016實現,并且相關產能將低于臺積電總產能的10%。
截止目前,在中國大陸已經建成的本土12英寸晶圓廠共5家,包括中芯國際在上海的一座300mm芯片廠、北京的兩座300mm芯片廠,華力微電子在上海的一座300mm芯片廠和武漢新芯在武漢的一座300mm芯片廠;外商獨資的12英寸晶圓廠包括英特爾在大連的一座300mm芯片廠,海力士(Hynix)在無錫的一座300mm芯片廠和三星在西安的一座300mm芯片廠。